米勒效應(yīng)是三極管工作中常見(jiàn)的一種作用現(xiàn)象，然而，MOS管中由于門(mén)極和漏極間存在米勒電容，則會(huì)影響整體的開(kāi)啟時(shí)間。

那么問(wèn)題來(lái)了：遇到這種情況，在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)小電容有沒(méi)有效果？在什么情況下才考慮米勒電容？米勒電容影響的時(shí)間怎么計(jì)算？就讓專業(yè)半導(dǎo)體廠家告訴你，遇到米勒效應(yīng)電容時(shí)你應(yīng)該怎么處理。

半導(dǎo)體廠家——飛虹為您介紹，米勒電容不是個(gè)實(shí)在存在MOSFET中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入（即棚源間）的等效電容。由米勒定理可知，這個(gè)等效電容比棚漏間的實(shí)際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應(yīng)所形成的等效電容稱為米勒電容。由此可見(jiàn)，在棚源極間并一個(gè)電容無(wú)助于減小米勒電容，反之更會(huì)降低MOSFET的開(kāi)啟速度，增加開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間。

所以，正確的處理方式是在關(guān)斷感性負(fù)載時(shí)，MOS管如果驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯(lián)一個(gè)適當(dāng)?shù)碾娙荩皇遣⒙?lián)一個(gè)越小越好的電容。這樣做可以防止關(guān)斷時(shí)因米勒電容影響出現(xiàn)的漏極電壓塌陷。

至于遇到了MOS管米勒效應(yīng)電容后如何計(jì)算的問(wèn)題，工程師們可以查詢數(shù)據(jù)手冊(cè)中的Cgd，然后根據(jù)具體電路的電壓增益計(jì)算。一般情況下，功率MOS管往往給出一定條件下管子開(kāi)通所需要的電量和充電曲線，可以作為驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的參考。

綜上所訴，MOS管工程師在進(jìn)行測(cè)試的過(guò)程中，一旦遇到米勒效應(yīng)電容問(wèn)題，首先要依據(jù)查詢數(shù)據(jù)手冊(cè)進(jìn)行計(jì)算，在估算出電容數(shù)值后選取適當(dāng)電容進(jìn)行電路系統(tǒng)修改調(diào)整。除此之外，依據(jù)米勒定理進(jìn)行合理運(yùn)用，也是能夠幫助工程師讀懂波紋并找出問(wèn)題的關(guān)鍵所在。廣州飛虹，主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營(yíng)：場(chǎng)效應(yīng)管、三極管等半導(dǎo)體器件，更多關(guān)于半導(dǎo)體資訊和合作，敬請(qǐng)關(guān)注聯(lián)系我們。